搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术 微系统”相关记录44条 . 查询时间(0.305 秒)
2024年第七届微波与微系统国际研讨会成功召开（图）
第七届 微波 微系统 研讨会
2024/10/25
2024年10月18-19日，第七届微波与微系统国际研讨会在天津圆满召开。本次研讨会由天津滨海高新区管委会、天津国家芯火双创平台、天津市集成电路行业协会、天津市成像与感知微电子技术重点实验室共同承办。
上海微系统所“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”（图）
柔性 太阳电池 集成电路
2024/8/28
2024年8月15-18日，第十九届中国可再生能源学会在陕西西安召开，光伏专委会发布了2024年太阳电池中国最高效率、2023年光伏领域重大科技进展，集成电路材料全国重点实验室纳米材料与器件实验室新能源技术中心课题组的“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”。
中国科学院上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术（图）
光子芯片 集成电路 薄膜
2024/5/12
2024年5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》（Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufacturing）为题，发表在《自然》（Nature）上。
【第十七届电子年会】“微系统与智能处理技术”专题论坛成功召开（图）
电子年会 微系统 智能处理
2024/9/18
2024年4月26日至28日，第十七届中国电子信息年会在宁波隆重召开。本届年会以“信息科技·新质生产力”为主题，包含2场主论坛、38场专题论坛、优秀科技成果展示、路演等活动。50多位院士以及来自全国各地电子信息领域高校、科研机构、企事业单位的知名专家和产业科技人才5000余人次现场参加了这一电子信息领域技术交流与产业推进的盛会。
大会期间，由中国电子科技集团公司第三十八研究所和宁波大学承办的“微...
天津市集成电路行业协会助力天津天芯微系统集成研究院有限公司、井芯微电子技术（天津）有限公司等会员单位参加2023年第102届中国电子展（图）
天津市 集成电路 第102届 电子展
2024/10/22
2023年11月24日，为期三天的第102届中国电子展在上海新国际博览中心圆满落幕！23000㎡的展厅云集了600多家中外知名企业，展出核心先导元器件、集成电路、半导体设备与核心部件、SMT智能制造、特种电子、物联网、汽车电子等领域最新技术近万余项展品，现场接待专业观众共34,709人次，是电子行业旗舰级展会。天津市集成电路行业协会与会务组积极对接，为会员单位争取减免展位费，助力天津天芯微系统集成...
南京邮电大学承办第八届集成电路与微系统国际会议（图）
南京邮大 集成电路 微系统 ICICM
2024/2/4
2023年10月20日至23日，由东南大学、电子科技大学、南京邮电大学联合主办，南京邮电大学承办，CAS、IEEE联合协办的2023第八届集成电路与微系统国际会议(ICICM2023）在南京举行。
上海微系统所助力研制超导神经形态处理器原型芯片 “苏轼（SUSHI）”（图）
超导神经 芯片苏轼 集成电路
2023/12/3
中国科学院计算技术研究所尤海航研究员、唐光明研究员带领的研究团队与中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称“上海微系统所”）任洁研究员团队联合攻关，研制了超导神经形态处理器原型芯片“苏轼（SUSHI）”，它是一款基于超导单磁通量子（SFQ）电路的超导计算芯片。该芯片利用上海微系统所超导集成电路设计平台展开设计，采用上海微系统所自主研发的SIMIT Nb03超导集成电路工艺（配备PDK及单元库...
上海微系统所成功研制微型高精度集成钻石量子电流传感器（图）
集成钻石 量子电流 传感器
2023/12/3
电动汽车、智能电网、高速列车等众多新兴工业应用的快速发展对高精度的电流传感器有了更高的要求。与传统电流传感器相比，基于量子效应的传感装置可以利用量子态操控技术来大幅提高测量的精度。这些明显的优势使得基于量子效应的电流传感器在各种应用中具有广泛的应用前景。
上海微系统所阐明砷在双向阈值开关中的作用机制（图）
毒性元素 半导体 材料砷化镓
2023/12/3
砷（As）是一种高毒性元素，但长期以来一直被广泛用于半导体制造: 通过将砷注入硅衬底制造N型半导体; 同时，砷也是第二代半导体的标志性材料砷化镓的主要成分。此外，砷在相变存储器（PCM）的发现、开发和最终商业化过程有着不可或缺的作用，而相变存储器是一种新兴的存储器技术、，可填补现代计算机中闪存和内存之间的巨大性能鸿沟。早在 1964 年，Northover 和 Pearson 就在砷基铬化物（即 ...
2023年9月20-22日，中国电子元件行业协会混合集成电路分会（简称“中电元协混合分会”）第九届会员大会、第二十二届全国混合集成电路学术会议暨微系统研讨会在苏州市成功召开，中电元协古群常务副理事长出席会议，中电元协混合集成电路分会会员代表、电子科技大学、华中科技大学、中南大学、中国电子科技集团公司信息科学研究院、航天科工微系统技术有限公司、西安空间无线电技术研究所、山东航天电子技术研究所、德国贺...
上海微系统所在超导EDA算法研究方面取得重要进展（图）
集成电路 电子设计 磁通量子
2023/12/3
最近，中国科学院上海微系统与信息技术研究所任洁研究员团队在超导集成电路电子设计自动化技术（EDA）研究领域取得了重要进展。研究团队提出了一种基于大规模有限状态机（FSM）分解的超导单磁通量子（SFQ）逻辑时序电路综合方法，利用超导SFQ逻辑门自身的特性与优势提升SFQ时序电路的性能，相关成果于2023年10月以题为“Sequential Circuits Synthesis for Rapid S...
近日，东南大学集成电路学院、MEMS教育部重点实验室黄晓东教授课题组在国际著名期刊《Nature Communications》上发表题为“微电池与薄膜电子集成构建InGaZnO透明集成微系统”的论文，报道了集能量、信息、传感等多功能为一体的透明式集成微系统。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
六方氮化硼 纳米带 带隙调控
2023/7/14
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
上海微系统所在300mm大硅片晶体生长的数值模拟研究方面取得重要进展（图）
大硅片晶体 数值模拟 集成电路
2023/12/3
300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对整个集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对我国集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控，满足射频、存储等领域的应用需求。